JB/T 8946-1999
真空離子鍍膜設(shè)備
Vacuum ion coating plant
JBT8946-1999, JB8946-1999
2010-07
- 標(biāo)準(zhǔn)號
- JB/T 8946-1999
- 別名
- JBT8946-1999, JB8946-1999
- 發(fā)布
- 1999年
- 總頁數(shù)
- 6頁
- 發(fā)布單位
- 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-機(jī)械
- 替代標(biāo)準(zhǔn)
- JB/T 8946-2010
- 當(dāng)前最新
- JB/T 8946-2010
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了真空離子鍍膜設(shè)備的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法，檢驗(yàn)規(guī)則，標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于壓力在10^(-4)～10^(-3)Pa范圍的真空離子鍍膜設(shè)備，具體包括如下類型：多弧離子鍍、電弧放電型真空離子鍍、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)、直流放電二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸發(fā)鍍(ARE)、增強(qiáng)型ARE、低壓等離子體離子鍍(LFPD)、電場蒸發(fā)離子鍍、感應(yīng)加熱離子鍍、簇團(tuán)離子束鍍等。 注：離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí)，把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物沉積在基片上。
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