SJ 20714-1998
砷化鎵拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射試驗方法
Test method for sub-surface damege of gallium arsenide polished wafer by X-ray double crystal diffraction
SJ 20714-1998 發(fā)布歷史
SJ 20714-1998由行業(yè)標準-電子 CN-SJ 發(fā)布于 1998-03-18，并于 1998-05-01 實施。
SJ 20714-1998 在中國標準分類中歸屬于: H83 化合物半導體材料，在國際標準分類中歸屬于: 29.045 半導體材料。
SJ 20714-1998 砷化鎵拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射試驗方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 SJ 20714-1998 。
SJ 20714-1998的歷代版本如下：
- 1998年 SJ 20714-1998 砷化鎵拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射試驗方法
本標準規(guī)定了砷化鎵拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射試驗方法。 本標準適用于經過化學、機械單面和雙面拋光的砷化鎵晶片亞損傷層的定性測量。
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- 標準號
- SJ 20714-1998
- 發(fā)布
- 1998年
- 發(fā)布單位
- 行業(yè)標準-電子
- 當前最新
- SJ 20714-1998