ASTM F1708-96
使用儀表-區(qū)域提純器光譜法評(píng)定粒狀多晶硅的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)范
Standard Practice for Evaluation of Granular Polysilicon by Meter-Zoner Spectroscopies
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- ASTM F1708-96 中文首頁
- 發(fā)布
- 1996年
- 總頁數(shù)
- 5頁
- 發(fā)布單位
- 美國材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)
- 替代標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM F1708-02
- 當(dāng)前最新
- ASTM F1708-02
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM D5127 ASTM F1241 ASTM F1389 ASTM F1391 ASTM F1630
- 適用范圍
- 1.1 本實(shí)踐描述了將粒狀多晶硅固結(jié)成實(shí)心棒，然后通過區(qū)熔技術(shù)將多晶硅棒轉(zhuǎn)化為單晶的過程。所得單晶錠用于測(cè)定多晶硅中的痕量雜質(zhì)。這些雜質(zhì)是受主和施主成分（通常是硼、鋁、磷、砷和銻）以及替代碳。
1.2 本實(shí)踐涵蓋的雜質(zhì)濃度的有用范圍是受主的十億分之一原子 (ppba) 0.002 至 100 份和施主雜質(zhì)，以及 0.03 至 5 ppma 的碳。通過光致發(fā)光或紅外光譜分析從單晶錠中取出的切片中的受主和施主雜質(zhì)。碳雜質(zhì)通過紅外光譜分析切片來確定。
1.3 這種做法僅適用于評(píng)估通過在連續(xù)流化床中將硅烷或其中一種氯硅烷熱沉積到高純度多晶硅晶種上而產(chǎn)生的多晶硅顆粒。反應(yīng)堆。顆粒形狀接近球形，尺寸范圍為 200 至 2500 956;m，平均尺寸約為 900 956;m.1.4 本標(biāo)準(zhǔn)并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問題（如果有） 。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者有責(zé)任在使用前建立適當(dāng)?shù)陌踩徒】祵?shí)踐并確定監(jiān)管限制的適用性。具體危險(xiǎn)說明見第 9 節(jié)和 12.1.1。