ASTM F1723-96
用浮區(qū)晶體增長和光譜法評估多晶硅竿材的標準實施規(guī)范
Standard Practice for Evaluation of Polycrystalline Silicon Rods by Float-Zone Crystal Growth and Spectroscopy
- 標準號
- ASTM F1723-96 中文首頁
- 發(fā)布
- 1996年
- 總頁數(shù)
- 9頁
- 發(fā)布單位
- 美國材料與試驗協(xié)會
- 替代標準
- ASTM F1723-02
- 當前最新
- ASTM F1723-02
- 引用標準
- ASTM D5127 ASTM F1241 ASTM F1389 ASTM F1391 ASTM F1630 ASTM F26 ASTM F397 ASTM F47 ASTM F723
- 適用范圍
- 1.1 本實踐推薦了對多晶硅棒進行取樣并通過浮區(qū)技術(shù)從這些樣品中生長單晶的程序。通過分光光度法分析所得單晶錠，以確定多晶硅中的痕量雜質(zhì)。這些痕量雜質(zhì)是受主（通常是硼或鋁，或兩者）、施主（通常是磷或砷，或兩者）和碳雜質(zhì)。
1.2 本實踐涵蓋的雜質(zhì)濃度的有用范圍是 0.002 至 100 份/十億原子（ ppba) 用于受體和供體雜質(zhì)，0.05 至 5 份/百萬原子 (ppma) 用于碳雜質(zhì)。通過紅外或光致發(fā)光光譜分析錠樣品中的這些雜質(zhì)。
1.3 本做法僅適用于評估通過利用細硅棒（硅絲）沉積多晶硅的方法生長的多晶硅錠。
1.4 本做法使用熱酸蝕刻掉多晶硅棒的表面。蝕刻劑具有潛在危害，必須始終在酸性排氣通風(fēng)柜中極其小心地處理。氫氟酸溶液尤其危險，不熟悉相應(yīng)材料安全數(shù)據(jù)表中給出的具體預(yù)防措施和急救處理的任何人不應(yīng)使用。
1.5 本標準并不旨在解決所有安全問題，如果任何與其使用相關(guān)的。本標準的使用者有責(zé)任在使用前建立適當?shù)陌踩徒】祵嵺`并確定監(jiān)管限制的適用性。