ASTM F1723-96由美國材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì) US-ASTM 發(fā)布于 1996。
ASTM F1723-96 在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中歸屬于: L10 電子元件綜合。
ASTM F1723-96 用浮區(qū)晶體增長和光譜法評估多晶硅竿材的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)范的最新版本是哪一版?
最新版本是 ASTM F1723-02 。
* 在 ASTM F1723-96 發(fā)布之后有更新,請注意新發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)的變化。
1.1 本實(shí)踐推薦了對多晶硅棒進(jìn)行取樣并通過浮區(qū)技術(shù)從這些樣品中生長單晶的程序。通過分光光度法分析所得單晶錠,以確定多晶硅中的痕量雜質(zhì)。這些痕量雜質(zhì)是受主(通常是硼或鋁,或兩者)、施主(通常是磷或砷,或兩者)和碳雜質(zhì)。
1.2 本實(shí)踐涵蓋的雜質(zhì)濃度的有用范圍是 0.002 至 100 份/十億原子( ppba) 用于受體和供體雜質(zhì),0.05 至 5 份/百萬原子 (ppma) 用于碳雜質(zhì)。通過紅外或光致發(fā)光光譜分析錠樣品中的這些雜質(zhì)。
1.3 本做法僅適用于評估通過利用細(xì)硅棒(硅絲)沉積多晶硅的方法生長的多晶硅錠。
1.4 本做法使用熱酸蝕刻掉多晶硅棒的表面。蝕刻劑具有潛在危害,必須始終在酸性排氣通風(fēng)柜中極其小心地處理。氫氟酸溶液尤其危險(xiǎn),不熟悉相應(yīng)材料安全數(shù)據(jù)表中給出的具體預(yù)防措施和急救處理的任何人不應(yīng)使用。
1.5 本標(biāo)準(zhǔn)并不旨在解決所有安全問題,如果任何與其使用相關(guān)的。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者有責(zé)任在使用前建立適當(dāng)?shù)陌踩徒】祵?shí)踐并確定監(jiān)管限制的適用性。
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