GB/T 43088-2023
微束分析分析電子顯微術(shù) 金屬薄晶體試樣中位錯密度的測定方法

Method for determination of dislocation density in metallic thin crystal specimens by microbeam analysis and electron microscopy

適用范圍: 利用透射電子顯微鏡測量金屬薄晶體中位錯密度的設(shè)備、試樣、測定方法、數(shù)據(jù)處理、測定結(jié)果的不確定度和試驗報告。測定晶粒內(nèi)不高于 $1\times10^{15}\mathrm{m^{-2}}$ 的位錯密度。測量幾十納米至幾百納米厚度金屬薄晶體試樣中單個晶粒內(nèi)的位錯密度。

術(shù)語	描述
位錯密度 dislocation density	單位體積薄晶體試樣中所含位錯線的總長度。
膜厚 foil thickness	位錯形貌拍攝位置的薄晶體試樣厚度。
截點法 intersect method	將符合要求的網(wǎng)格覆蓋在待測位錯形貌照片上，數(shù)出與位錯線相交點的數(shù)量。
雙束近似 two-beam approximation	假定只有直射波和一支衍射波被激發(fā)進行電子衍射分析和顯微圖像計算的近似條件。

品牌：中科微納

型號：ZKZMD-10

透射/掃描透射電子顯微鏡系統(tǒng) 配備雙傾試樣臺，或雙傾-轉(zhuǎn)動試樣臺，具備STEM模式和探測器。	用于測量金屬薄晶體中位錯密度的設(shè)備。
數(shù)據(jù)處理軟件具備長度測量功能。	用于處理透射電子顯微鏡圖像并計算位錯密度的軟件。