MIL MIL-R-5757/7G-2011
繼電器 電磁 密封 4PDT 低電平至 2 安培

Relays, Electromagnetic, Hermetically Sealed, 4PDT, Low Level to 2 Amperes

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)

MIL MIL-R-5757/7G-2011

發(fā)布

2011年

發(fā)布單位

美國(guó)國(guó)防部標(biāo)準(zhǔn)化文件（含MIL標(biāo)準(zhǔn)）

當(dāng)前最新

MIL MIL-R-5757/7G-2011

 

 

介紹

美國(guó)國(guó)防部標(biāo)準(zhǔn)化文件MIL MIL-R-5757/7G-2011發(fā)布于2011年5月12日，主要規(guī)定了電磁密封繼電器的技術(shù)要求和性能標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)適用于4PDT（四極雙擲）型繼電器，其設(shè)計(jì)用于低電平至2安培的電流應(yīng)用場(chǎng)景。此類繼電器廣泛應(yīng)用于軍事和航空航天領(lǐng)域，要求在高可靠性環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。

該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了繼電器的電氣性能、機(jī)械性能、環(huán)境適應(yīng)性以及測(cè)試方法。電磁密封設(shè)計(jì)確保了繼電器在惡劣環(huán)境下的可靠性和耐久性，能夠有效防止外界污染物和濕氣的侵入。此外，標(biāo)準(zhǔn)還涵蓋了繼電器的接觸電阻、絕緣電阻、耐電壓、振動(dòng)和沖擊等方面的要求，以確保其在極端條件下的性能表現(xiàn)。

MIL MIL-R-5757/7G-2011是繼電器的設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中的重要參考依據(jù)，旨在為軍事和航空航天設(shè)備提供高質(zhì)量的繼電器產(chǎn)品，滿足高標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用需求。

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