GB/T 33236-2016
多晶硅 痕量元素化學(xué)分析 輝光放電質(zhì)譜法
Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method
GBT33236-2016, GB33236-2016
- 標(biāo)準(zhǔn)號
- GB/T 33236-2016
- 別名
- GBT33236-2016, GB33236-2016
- 發(fā)布
- 2016年
- 總頁數(shù)
- 12頁
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 33236-2016
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 6682 ISO/TS 15338:2009
- 本體
- 多晶硅 雜質(zhì)元素
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜(GD-MS)法測量多晶硅中雜質(zhì)元素的測試方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅材料中除氫和惰性氣體元素以外的其他雜質(zhì)元素含量的測定，測量范圍是本方法的檢出限至0.1%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))，檢出限根據(jù)所用儀器及測量條件確定。通過合適的標(biāo)準(zhǔn)樣品校正，也可以測量質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于0.1%的雜質(zhì)元素含量。單晶硅材料中痕量雜質(zhì)元素也可參照本標(biāo)準(zhǔn)測量。
| 術(shù)語 | 描述 |
|---|---|
| 離子強(qiáng)度 ion intensity | 儀器記錄到的指定元素的離子流總量。 |
| 針狀試樣 pin sample | 橫截面為圓形或方形的針狀、 棒狀或線狀試樣, 通常長度為20 mm、 截面的直徑( 圓形) 或?qū)蔷€ ( 方形) 不超過10mm。 |
| 片狀試樣 flat sample | 薄片狀或塊狀試樣, 通常為圓形或方形, 并至少有一面是光滑的, 光滑面能形成直徑大于10mm 的 圓形測量面。 |
| 針狀放電池 pin cell | 用于分析針狀試樣的樣品池。 |
| 片狀放電池 flat cell | 用于分析片狀試樣的樣品池。 |
| 離子傳輸效率 transmission efficiency | 到達(dá)探測器的離子數(shù)與進(jìn)入質(zhì)量分析器的離子數(shù)之比。 |
GB/T 33236-2016 中提到的儀器設(shè)備
| 超聲波清洗器 | 用于試樣和操作工具的清洗。 |
| 輝光放電質(zhì)譜儀 符合I S O / T S1 5 3 3 8: 2 0 0 9第7章的要求。 | 用于檢測多晶硅中雜質(zhì)元素的分析儀器，通過輝光放電和質(zhì)譜技術(shù)實(shí)現(xiàn)樣品離子化和分離。 |