T/ZJATA 0017-2023
制備碳化硅半導體材料用化學氣相沉積法(CVD)外延設備

Chemical vapor deposition (CVD) epitaxy equipment for preparing silicon carbide semiconductor materials

標準號

T/ZJATA 0017-2023

發(fā)布

2023年

發(fā)布單位

中國團體標準

當前最新

T/ZJATA 0017-2023

 

 

適用范圍

本文件包含了制備碳化硅半導體材料用化學氣相沉積法(CVD)外延設備（以下簡稱“外延設備”）的產品分類、工作條件、技術要求、試驗方法、檢測規(guī)則、標志、包裝、運輸和貯存要求內容，對外延設備的反應室系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、加工（碳化硅外延片）質量指標給出了統(tǒng)一技術參數及評價方法。通過對可靠性、加工效率、溫度壓力流量等關鍵參數控制，保證了設備的精準性、安全性。

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