GB/T 1557-2006
硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
GBT1557-2006, GB1557-2006
2019-06
說明：
- 此圖僅顯示與當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)最近的5級引用；
- 鼠標(biāo)放置在圖上可以看到標(biāo)題編號；
- 此圖可以通過鼠標(biāo)滾輪放大或者縮?。?/li>
- 表示標(biāo)準(zhǔn)的節(jié)點，可以拖動；
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- 標(biāo)準(zhǔn)號
- GB/T 1557-2006
- 別名
- GBT1557-2006
GB1557-2006 - 發(fā)布
- 2006年
- 總頁數(shù)
- 8頁
- 采用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM F1188-00 MOD
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 替代標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 1557-2018
- 當(dāng)前最新
- GB/T 1557-2018
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E131 GB/T 14264
- 被代替標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 1557-1989 GB/T 14143-1993
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用紅外光譜法測定硅單晶中的間隙氧含量的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1Ω?cm的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω?cm的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。 本標(biāo)準(zhǔn)測量氧含量的有效范圍從1×1016at?cm-3到硅中間隙氧的最大固溶度。