標(biāo)準(zhǔn)電壓下的耗盡型場效應(yīng)管。從左到右依次依次為：結(jié)型場效應(yīng)管，多晶硅金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，雙柵極金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，金屬柵極金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管。 耗盡層 , 電子 , 空穴 ,金屬,絕緣體. 上方：源極，下方：漏極，左方：柵極，右方：主體。電壓導(dǎo)致溝道形成的細(xì)節(jié)沒有畫出 摻雜FET（解釋如下）的溝道用來制造N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。...
例如，在純凈的半導(dǎo)體鍺中，加入微量的雜質(zhì)銻，就能形成N型半導(dǎo)體。同樣，如果在純凈的鍺中，加入微量的雜質(zhì)銦，就形成P型半導(dǎo)體。?一個PN結(jié)構(gòu)成晶體二極管----設(shè)法把P型半導(dǎo)體（有大量的帶正電荷的空穴）和N型半導(dǎo)體（有大量的帶負(fù)電荷的自由電子）結(jié)合在一起，見圖1所示。佳工機(jī)電網(wǎng)?圖1在P型半導(dǎo)體的N型半導(dǎo)體相結(jié)合的地方，就會形成一個特殊的薄層，這個特殊的薄層就叫“PN結(jié)”。...
根據(jù)柵的結(jié)構(gòu)，場效應(yīng)晶體管可以分為三種： ?、?em>結(jié)型場效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極)； ?、贛OS場效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極，見金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）； ③MES場效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）；其中MOS場效應(yīng)管使用廣泛。尤其在大規(guī)模的發(fā)展中，MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。 ...
2按照載流子性質(zhì)不同分類雙極型：即電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電，常見的有BJT、GTO；單極型：只有電子或者空穴的一種載流子參與導(dǎo)電，常見的有結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）、MOSFET、靜電感應(yīng)晶體管（SIT）等；混合型：常見的有IGBT、電子加強(qiáng)注入型絕緣柵晶體管（IEGT）等。...
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