GB/T 30116-2013
半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施電磁兼容性要求
Requirements for semiconductor manufacturing facility electromagnetic compatibility
GBT30116-2013, GB30116-2013
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 30116-2013
- 別名
- GBT30116-2013, GB30116-2013
- 發(fā)布
- 2013年
- 總頁(yè)數(shù)
- 11頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 國(guó)家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 30116-2013
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB 9254 GB/T 17626.16-2007 GB/T 17626.2-2006 GB/T 17626.3-2006 GB/T 17626.4-2008 GB/T 17626.5-2008
- 本體
- 半導(dǎo)體器件 靜電放電
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了為保證半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施與用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的設(shè)備能一起可靠運(yùn)行的電磁兼容性(EMC)要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的設(shè)施和設(shè)備,這些設(shè)施和設(shè)備涵蓋所有的設(shè)施警報(bào)、安全、通信與控制系統(tǒng)、工藝設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、自動(dòng)化設(shè)備以及信息技術(shù)設(shè)備。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于集成電路的封裝與功能測(cè)試所采用的設(shè)備和設(shè)施,也不適用于可能在半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的靜電。
| 術(shù)語(yǔ) | 描述 |
|---|---|
| 電磁兼容性 electromagnetic compatibility; EMC | 電子設(shè)備在電磁干擾(EMD)和靜電放電(ESD)環(huán)境中正常工作且不對(duì)該環(huán)境中的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁干擾的能力。 |
| 電磁干擾 electromagnetic interference; EMI | 電磁波譜的非離子化部分中任何可能會(huì)引起電子設(shè)備中不希望有的反應(yīng)的電磁信號(hào)。 |
| 靜電放電 electrostatic discharge; ESD | 具有不同靜電電位的物體相互靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。 |
| 超低頻磁場(chǎng) extremely low frequency magnetic field; ELF | 設(shè)備和設(shè)施內(nèi)電流產(chǎn)生的超低頻(約為1 Hz~1 kHz)磁場(chǎng)。 |
| 敏感設(shè)備 sensitive equipment | 任何性能會(huì)受到ELF的不利影響的設(shè)備。 |
GB/T 30116-2013 中提到的儀器設(shè)備
| GB 9254試驗(yàn)裝置 | 用于測(cè)試信息技術(shù)設(shè)備的無(wú)線電騷擾限值和測(cè)量方法，適用于非家用設(shè)施。 |
| 交流輸入和輸出端口試驗(yàn)裝置 | 用于測(cè)試交流輸入和輸出端口的電磁兼容性要求，包括快速瞬變脈沖群抗擾度、射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度等。 |