GB/T 32189-2015
氮化鎵單晶襯底表面粗糙度的原子力顯微鏡檢驗(yàn)法

Atomic Force Microscopy Examination of Surface Roughness of Gallium Nitride Single Crystal Substrate

適用范圍: 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用原子力顯微鏡測(cè)試所化久單晶襯底表面粗糙度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于化學(xué)氣相沉積及其他方法生長(zhǎng)制備的表面粗糙度小于10 nm 的氮化勻單唱襯底。其他具有相似表面結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體單品襯底應(yīng)用本標(biāo)準(zhǔn)提供的方法進(jìn)行測(cè)試前,需經(jīng)測(cè)試雙方協(xié)商達(dá)成一致。

術(shù)語	描述
表面結(jié)構(gòu) Surface Topography	表面輪廓和高度變化的特征集合。
算術(shù)平均偏差 Arithmetic Mean Deviation (Ra)	用于量化表面粗糙度的參數(shù)，表示表面輪廓與中線的垂直距離的絕對(duì)值的平均值。
最小二乘法擬合 Least Squares Fitting	一種數(shù)學(xué)方法，用于找到最佳擬合曲線以描述數(shù)據(jù)點(diǎn)的趨勢(shì)。

原子力顯微鏡典型結(jié)構(gòu)如圖 1 所示	用于測(cè)試表面形貌和粗糙度，縱向分辨率≤0.1 nm，橫向分辨率≥10 nm。