ISO 14706:2014
表面化學(xué)分析用總反射X-射線熒光(TXRF)測(cè)定法測(cè)定硅晶片的表面基本的污染

Surface chemical analysis - Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy

適用范圍: 本國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于化學(xué)機(jī)械拋光或外延硅晶圓表面元素污染測(cè)量的反射X射線熒光（TXRF）方法。該方法適用于以下情況：——原子序數(shù)從16（S）到92（U）的元素；——具有從1 × 10^10 atoms/cm2到1 × 10^14 atoms/cm2原子表面密度的污染元素；——利用VPD（氣相分解）樣品制備方法測(cè)量的污染元素，其原子表面密度范圍為5 × 10^8 atoms/cm2到5 × 10^12 atoms/cm2（參見3.4）。

術(shù)語(yǔ)	描述
完全反射 total reflection	入射X射線在兩個(gè)介質(zhì)邊界處的完全反射現(xiàn)象，由于硅的折射率小于1，入射角度小的X射線會(huì)被表面完全反射。
掠入射角 glancing angle	樣品表面平面與包含入射X射線的虛擬平面之間的夾角。

硅漂移檢測(cè)器（SDD）	用于檢測(cè)熒光X射線的高分辨率固體狀態(tài)檢測(cè)器。
X射線源	提供激發(fā)樣品的特征X射線的裝置。