ISO 14706:2014
表面化學(xué)分析 用總反射X-射線熒光(TXRF)測定法測定硅晶片的表面基本的污染
Surface chemical analysis - Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
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- 標(biāo)準(zhǔn)號
- ISO 14706:2014
- 發(fā)布
- 2014年
- 總頁數(shù)
- 32頁
- 中文版
- GB/T 40110-2021 (等同采用的中文版本)
- 發(fā)布單位
- 國際標(biāo)準(zhǔn)化組織
- 當(dāng)前最新
- ISO 14706:2014
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 14644-1:1999 ISO 5725-2:1994
本國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于化學(xué)機械拋光或外延硅晶圓表面元素污染測量的反射X射線熒光（TXRF）方法。該方法適用于以下情況：——原子序數(shù)從16（S）到92（U）的元素；——具有從1 × 10^10 atoms/cm2到1 × 10^14 atoms/cm2原子表面密度的污染元素；——利用VPD（氣相分解）樣品制備方法測量的污染元素，其原子表面密度范圍為5 × 10^...
ISO 14706:2014 中提到的儀器設(shè)備
| 硅漂移檢測器（SDD） | 用于檢測熒光X射線的高分辨率固體狀態(tài)檢測器。 |
| X射線源 | 提供激發(fā)樣品的特征X射線的裝置。 |