半導體 摻雜

本專題涉及半導體 摻雜的標準有5條。

國際標準分類中，半導體 摻雜涉及到半導體材料、術(shù)語學(原則和協(xié)調(diào)配合)。

在中國標準分類中，半導體 摻雜涉及到元素半導體材料、。

德國標準化學會，關(guān)于半導體 摻雜的標準

• DIN 50439:1982 半導體技術(shù)材料的試驗.用電容--電壓法和水銀接點確定單晶層半導體材料中摻雜劑的濃度分布曲線
• DIN 50445:1992 半導體工藝材料檢驗.用渦流法無接觸測定電阻率.均勻摻雜半導體片
• DIN 50450-1:1987-08 半導體技術(shù)材料測試；載氣和摻雜氣體中雜質(zhì)的測定；五氧化二磷電池測定水中氫、氧、氮、氬、氦中的雜質(zhì)

美國材料與試驗協(xié)會，關(guān)于半導體 摻雜的標準

• ASTM F723-99 半導體材料電阻率與摻雜濃度之間轉(zhuǎn)換的標準方法

中國團體標準，關(guān)于半導體 摻雜的標準

• T/CASAS 002-2021 寬禁帶半導體術(shù)語

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可能用到的儀器設(shè)備