半導(dǎo)體摻雜

本專題涉及半導(dǎo)體摻雜的標(biāo)準(zhǔn)有6條。

國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體摻雜涉及到半導(dǎo)體材料、術(shù)語學(xué)(原則和協(xié)調(diào)配合)、核能工程。

在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體摻雜涉及到元素半導(dǎo)體材料、。

德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會，關(guān)于半導(dǎo)體摻雜的標(biāo)準(zhǔn)

• DIN 50439:1982 半導(dǎo)體技術(shù)材料的試驗(yàn).用電容--電壓法和水銀接點(diǎn)確定單晶層半導(dǎo)體材料中摻雜劑的濃度分布曲線
• DIN 50445:1992 半導(dǎo)體工藝材料檢驗(yàn).用渦流法無接觸測定電阻率.均勻摻雜半導(dǎo)體片
• DIN 50450-1:1987-08 半導(dǎo)體技術(shù)材料測試；載氣和摻雜氣體中雜質(zhì)的測定；五氧化二磷電池測定水中氫、氧、氮、氬、氦中的雜質(zhì)

美國材料與試驗(yàn)協(xié)會，關(guān)于半導(dǎo)體摻雜的標(biāo)準(zhǔn)

• ASTM F723-99 半導(dǎo)體材料電阻率與摻雜濃度之間轉(zhuǎn)換的標(biāo)準(zhǔn)方法

中國團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于半導(dǎo)體摻雜的標(biāo)準(zhǔn)

• T/CASAS 002-2021 寬禁帶半導(dǎo)體術(shù)語
• T/CSTM 00035-2020 鈰摻雜硅酸釔閃爍晶體

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可能用到的儀器設(shè)備