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單晶二次結(jié)晶
本專題涉及單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)有109條。
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，單晶二次結(jié)晶涉及到金屬材料試驗、有色金屬、電信設(shè)備用部件和附件、無機化學(xué)、太陽能工程、半導(dǎo)體分立器件、化工產(chǎn)品、攝影技術(shù)、陶瓷、建筑材料、半導(dǎo)體材料、復(fù)合增強材料、空氣質(zhì)量、橡膠和塑料用原料、橡膠、教育、閥門、焊接、釬焊和低溫焊、電子元器件綜合。
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，單晶二次結(jié)晶涉及到金屬物理性能試驗方法、稀有高熔點金屬及其合金、半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法、石英晶體、壓電元件、化學(xué)助劑基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、半導(dǎo)體分立器件綜合、太陽能、其他石油產(chǎn)品、半導(dǎo)體二極管、表面活性劑基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、特種陶瓷、石油產(chǎn)品綜合、無機鹽、特種非金屬礦、特殊炭素材料、教學(xué)專用儀器、計量綜合、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、教育、學(xué)位、學(xué)銜、工業(yè)防塵防毒技術(shù)、電工材料和通用零件綜合、閥門、元素半導(dǎo)體材料、、場效應(yīng)器件。
國家質(zhì)檢總局，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 4106-1983 鎢絲二次再結(jié)晶溫度測量方法
- GB/T 42263-2022 硅單晶中氮含量的測定 二次離子質(zhì)譜法
- GB/T 20214-2006 層狀結(jié)晶二硅酸鈉
- GB/T 13066-1991 單結(jié)晶體管空白詳細規(guī)范
- GB/T 19421-2008 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法
- GB/T 19421.1-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 δ相層狀結(jié)晶二硅酸鈉定性分析 X射線衍射儀法
- GB/T 19421.2-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 白度的測定
- GB/T 19421.3-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 pH值的測定
- GB/T 19421.7-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 重量法測定濕存水量
- GB/T 19421.6-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 重量法測定灼燒失量
- GB/T 19421.9-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 容量法測定氧化鈉含量
- GB/T 19421.10-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 氟硅酸鉀容量法測定二氧化硅含量
- GB/T 19421.4-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 EDTA容量法測定鈣交換能力
- GB/T 19421.5-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 EDTA容量法測定鎂交換能力
- GB/T 19421.8-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 鄰菲羅啉比色法測定三氧化二鐵含量
- GB/T 19421.12-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 原子吸收分光光度法測定氧化鎂含量
- GB/T 19421.11-2003 層狀結(jié)晶二硅酸鈉試驗方法 原子吸收分光光度法測定氧化鈣含量
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-有色金屬，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- YS/T 516-2012 鎢絲二次再結(jié)晶溫度測量方法
- YS/T 516-2006 鎢絲二次再結(jié)晶溫度測量方法
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- SJ 20606-1996 二氧化碲單晶規(guī)范
- SJ/T 10333-1993 單結(jié)晶體管測試方法
- SJ/T 10064-1991 電子元器件詳細規(guī)范.BT32型PN硅單結(jié)晶體管(可供認證用)
- SJ/T 10065-1991 電子元器件詳細規(guī)范.BT33型PN硅單結(jié)晶體管(可供認證用)
- SJ/T 10066-1991 電子元器件詳細規(guī)范.BT37型PN硅單結(jié)晶體管(可供認證用)
- SJ/T 10067-1991 電子元器件詳細規(guī)范.BT 40型可調(diào)單結(jié)晶體管(可供認證用)
- SJ/T 11059-1996 電子元器件詳細規(guī)范 CS4220A型單柵N溝結(jié)型場效應(yīng)晶體管（可供認證用）
韓國科技標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- KS C 8537-1995 二次參比晶體太陽能電池
- KS C 8537-2005(2010) 二次參比晶體太陽能電池
- KS I ISO 24095-2012(2017) 車間空氣可吸入結(jié)晶二氧化硅測量指南
- KS C 0256-2002 硅單結(jié)晶及硅片的4探針法的抵抗率測定方法
日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- JIS C 8911:1989 二次標(biāo)準(zhǔn)晶系太陽能電池容器
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-石油化工，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- SH/T 1481-1992 對苯二甲酸二甲酯結(jié)晶點測定法
- SH/T 1490-1992 石油對二甲苯結(jié)晶點的測定法
臺灣地方標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- CNS 5389-1980 十二結(jié)晶水硫酸鋁鉀（照相級）
- CNS 5390-1980 十二結(jié)晶水硫酸鋁鉀檢驗法（照相級）
國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 41153-2021 碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測定 二次離子質(zhì)譜法
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-建材，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- JC/T 2343-2015 導(dǎo)模法制備單晶三氧化二鋁管
- JC/T 2139-2012 核物理領(lǐng)域用高純二氧化碲單晶
CZ-CSN，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- CSN 72 1565 Cast.15-1989 磚粘土測試．游離二氧化硅結(jié)晶
美國材料與試驗協(xié)會，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM F847-94(1999) 單晶硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
- ASTM E1132-99a 有關(guān)職業(yè)暴露于可吸入結(jié)晶二氧化硅的健康要求的標(biāo)準(zhǔn)做法
- ASTM E1132-13e1 有關(guān)職業(yè)暴露于可吸入結(jié)晶二氧化硅的健康要求的標(biāo)準(zhǔn)做法
- ASTM E1132-13 有關(guān)職業(yè)暴露于可吸入結(jié)晶二氧化硅的健康要求的標(biāo)準(zhǔn)做法
- ASTM E1132-21 與職業(yè)接觸可吸入結(jié)晶二氧化硅有關(guān)的健康要求的標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程
- ASTM C1369-19 結(jié)構(gòu)上釉中空玻璃單元用二次封邊材料的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
工業(yè)和信息化部，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- YB/T 4588-2017 單晶爐用板狀結(jié)構(gòu)炭/炭復(fù)合材料
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-農(nóng)業(yè)，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- 844獸藥典 一部-2015 附錄目次0900 特性檢查法0981 結(jié)晶性檢查法
- 148獸藥典 三部-2015 附錄目次 微生物檢查法 3301 布氏菌菌落結(jié)晶紫染色法
- 440獸藥質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)2017年版 化學(xué)藥品卷 第二篇獸藥產(chǎn)品說明書范本 五畫 滅菌結(jié)晶磺胺說明書
美國國防后勤局，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 3-2011 半導(dǎo)體器件、晶體管、PN、硅、單結(jié) JAN2N5431 和 JANTX2N5431
- DLA SMD-5962-87517 REV B-2001 硅單塊 二進制計數(shù)器低功率肖特基晶體管晶體管邏輯,數(shù)字微型電路
- DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 硅單片,四重單刀單擲結(jié)型場效應(yīng)晶體管模擬開關(guān),線性微型電路
- DLA SMD-5962-91627 REV A-2004 硅單塊 四列二輸入是非驅(qū)動器,改進型肖特基晶體管晶體管邏輯電路,雙極數(shù)字微型電路
- DLA MIL-S-19500/388 B VALID NOTICE 3-2011 半導(dǎo)體器件、晶體管、PN、硅、單結(jié)類型 2N4947、2N4948 和 2N4949 JAN、JANTX、JANTX 和 JANS
- DLA SMD-5962-87621 REV A-2005 硅單塊 帶輸入自動記錄器8比特二進制計數(shù)器,低功率肖特基晶體管晶體管邏輯,雙極微型電路
- DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 硅單塊 二進制計數(shù)器,互補金屬氧化物半導(dǎo)體,高級肖脫基晶體管-晶體管邏輯電路,數(shù)字微型電路
- DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 硅單片,結(jié)型場效應(yīng)晶體管高速運算放大器,數(shù)字微型電路
- DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 硅單片,結(jié)型場效應(yīng)晶體管高速準(zhǔn)確運算放大器,線性微型電路
- DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 硅單片,四重雙極結(jié)型場效應(yīng)晶體管,運算放大器,線性微型電路
- DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 硅單塊 操作增強器,微功率結(jié)型場效應(yīng)晶體管直線型微型電路
- DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 硅單塊 高速結(jié)型場效應(yīng)晶體管,雙操作增強器,直線型微型電路
- DLA SMD-5962-87706 REV A-2000 硅單塊 操作擴大器,精密結(jié)型場效應(yīng)晶體管輸入,直線型微型電路
- DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 硅單塊 操作增強器,雙微功率結(jié)型場效應(yīng)晶體管直線型微型電路
- DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 硅單塊 單一或雙或四列操作增強器,結(jié)型場效應(yīng)晶體管低功率,直線式微型電路
- DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 硅單塊 高速操作放大器,雙精密結(jié)型場效應(yīng)晶體管,直線式微型電路
- DLA SMD-5962-87716 REV A-2000 硅單塊 結(jié)型場效應(yīng)晶體管模擬多路復(fù)用器,8溝道直線型微型電路
- DLA SMD-5962-87717 REV B-2002 硅單塊 結(jié)型場效應(yīng)晶體管模擬多路復(fù)用器,16溝道直線型微型電路
- DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 硅單片,結(jié)型場效應(yīng)晶體管四重高速準(zhǔn)確運算放大器,線性微型電路
- DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 硅單塊 操作增強器,四列微功率結(jié)型場效應(yīng)晶體管直線型微型電路
- DLA SMD-5962-04228-2004 硅單片互補晶體管-晶體管邏輯電路,裝有預(yù)先裝置及脈沖計時器,雙向二進制計算器的高級氧化物半導(dǎo)體數(shù)字微型電路
- DLA SMD-5962-87718 REV A-2000 硅單塊 結(jié)型場效應(yīng)晶體管模擬多路復(fù)用器,4溝道差異直線型微型電路
德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- DIN V VDE V 0126-18-3:2007 太陽能硅片.第3部分:結(jié)晶硅片的堿性腐蝕損壞.單晶硅片和多晶硅片腐蝕速度的測定方法
- DIN 50434:1986 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗.對(111)和(100)表面采用蝕刻技術(shù)的單晶硅的晶體結(jié)構(gòu)缺陷的測定
RU-GOST R，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- GOST 19920.15-1974 立體定向丁二烯合成橡膠.結(jié)晶能力測定法
- GOST R 57548-2017 真空感應(yīng)熔煉以獲得具有單晶結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品 技術(shù)要求
- GOST R ISO 19087-2021 工作場所的空氣 通過傅里葉變換紅外光譜分析可吸入結(jié)晶二氧化硅
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-教育，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- JY/T 0588-2020 單晶X射線衍射儀測定小分子化合物的晶體及分子結(jié)構(gòu)分析方法通則
- JY/T 008-1996 四圓單晶X射線衍射儀測定小分子化合物的晶體及分子結(jié)構(gòu)分析方法通則
國家計量檢定規(guī)程，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- JJG(電子) 04009-1987 BJ2983型晶體三極管正偏二次擊穿測試儀試行檢定規(guī)程
中國團體標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- T/CCSAS 034-2023 結(jié)晶單元操作機械化、自動化設(shè)計方案指南
- T/SBX 038-2020 3，5-二氟-4-氰基苯酚酯類液晶單體純度的測定 氣相色譜法
丹麥標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- DS/ISO 24095:2021 工作場所空氣 可吸入結(jié)晶二氧化硅測量指南
KR-KS，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- KS I ISO 24095-2022 工作場所空氣可吸入結(jié)晶二氧化硅測量指南
PL-PKN，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- PN M59102-1973 可塑產(chǎn)品，粘結(jié)研磨工具和單晶硅分類和標(biāo)識
- PN Z04018-04-1991 空氣純度保護．游離結(jié)晶二氧化硅含量的測試．通過比色法測定在工作場所游離結(jié)晶二氧化硅占全部和可吸入粉塵中硅酸鹽百分比
RO-ASRO，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- STAS 7128/9-1980 半導(dǎo)體設(shè)備和集成電路．單結(jié)晶體管參數(shù)符號
- STAS 1314/32-1979 錳礦石和精礦．在電解二氧化錳的伽瑪水晶結(jié)構(gòu)的鑒定
國際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 22278:2020 精細陶瓷（高級陶瓷 高級工業(yè)陶瓷）.用平行X射線束X射線衍射法測定單晶薄膜（晶片）結(jié)晶質(zhì)量的試驗方法
- ISO 24095:2009 工作場所空氣.適于呼吸的結(jié)晶二氧化硅的測定指南
- ISO 24095:2021 工作場所空氣. 適于呼吸的結(jié)晶二氧化硅的測定指南
- ISO 19087:2018 工作場所空氣.用傅里葉變換紅外光譜法分析可吸入結(jié)晶二氧化硅
英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- BS ISO 22278:2020 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術(shù)陶瓷） 采用平行X射線束X射線衍射法測定單晶薄膜（晶片）結(jié)晶質(zhì)量的測試方法
- BS ISO 24095:2010 工作場所空氣 可吸入結(jié)晶二氧化硅的測量指南
- BS ISO 24095:2009 工作場所空氣.可吸入結(jié)晶二氧化硅的測量指南
- BS ISO 24095:2021 工作場所空氣 可吸入結(jié)晶二氧化硅的測量指南
- 20/30360821 DC BS ISO 22278 精細陶瓷（高級陶瓷、先進技術(shù)陶瓷） 采用平行X射線束X射線衍射法測定單晶薄膜（晶片）結(jié)晶質(zhì)量的測試方法
- 20/30348162 DC BS ISO 24095 工作場所空氣 可吸入結(jié)晶二氧化硅的測量指南
- BS ISO 19087:2018 工作場所空氣 可吸入結(jié)晶二氧化硅的傅立葉變換紅外光譜分析
- BS EN 17289-3:2020 散裝材料的特性 粒度加權(quán)細顆粒和結(jié)晶二氧化硅含量的測定 沉淀法
- BS EN 17289-2:2020 散裝材料的特性 粒度加權(quán)細顆粒和結(jié)晶二氧化硅含量的測定 計算方法
法國標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- NF X43-208*NF ISO 24095:2021 工作場所空氣 可吸入結(jié)晶二氧化硅的測量指南
- NF X43-208:2010 工作場所空氣.可呼吸的結(jié)晶二氧化硅的測量指南
- NF ISO 24095:2021 工作場所空氣 - 結(jié)晶二氧化硅可呼吸部分測量指南
歐洲標(biāo)準(zhǔn)化委員會，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- DD ENV 14273-2002 高級工業(yè)陶瓷.陶瓷粉末.二氧化鋯結(jié)晶相的測定
國家軍用標(biāo)準(zhǔn)-總裝備部，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- GJB 33/11-1989 半導(dǎo)體分立器件 BT37型PN硅單結(jié)晶體管詳細規(guī)范
- GJB 33/10-1989 半導(dǎo)體分立器件 BT33型PN硅單結(jié)晶體管詳細規(guī)范
- GJB 33/9-1989 半導(dǎo)體分立器件 BT32型PN硅單結(jié)晶體管詳細規(guī)范
ESDU - Engineering Sciences Data Unit，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- ESDU 81027 A-1982 晶格結(jié)構(gòu) 第1部分：單平面和多平面框架上的平均流體力
AENOR，關(guān)于單晶二次結(jié)晶的標(biāo)準(zhǔn)
- UNE 81550:2017 工作場所暴露 空氣中結(jié)晶游離二氧化硅（可吸入部分）的測定 紅外光譜法
