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半導(dǎo)體の光電特性

半導(dǎo)體の光電特性は全部で 138 項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)に関連している。

半導(dǎo)體の光電特性 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類において、これらの分類：オプトエレクトロニクス、レーザー裝置、 半導(dǎo)體ディスクリートデバイス、 機(jī)械、設(shè)備、裝置の特性と設(shè)計(jì)、 光ファイバー通信、 電気、磁気、電気および磁気測(cè)定、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 光學(xué)および光學(xué)測(cè)定、 熱力學(xué)と溫度測(cè)定、 醫(yī)療機(jī)器。

RO-ASRO, 半導(dǎo)體の光電特性

• STAS 12258/7-1987 光電子半導(dǎo)體デバイス。 太陽(yáng)光発電の用語(yǔ)と基本的な特性
• STAS 12258/3-1985 光電子半導(dǎo)體デバイス。 フォトトランジスタの用語(yǔ)と基本的な特性
• STAS 12258/2-1984 光電子半導(dǎo)體デバイス。 フォトダイオードの用語(yǔ)と基本的な特性
• STAS 12258/5-1986 オプトエレクトロニクス半導(dǎo)體。 裝備品の展示。 用語(yǔ)と基本的な特徴
• STAS 12258/4-1986 光電子半導(dǎo)體裝置。 発光ダイオードの用語(yǔ)と主な特徴
• STAS 12258/6-1987 光電子半導(dǎo)體デバイス。 赤外発光ダイオードの用語(yǔ)と基本特性
• STAS 12123/4-1984 半導(dǎo)體デバイス用可変容量ダイオードの電気的特性の測(cè)定方法

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導(dǎo)體の光電特性

• GJB 8120-2013 半導(dǎo)體光電子モジュールの一般仕様
• GJB 33/17-2011 半導(dǎo)體光電子デバイス詳細(xì)仕様書(shū) GO11型半導(dǎo)體フォトカプラ
• GJB 33/16-2011 半導(dǎo)體光電子デバイス詳細(xì)仕様書(shū) 3DU32型半導(dǎo)體フォトトランジスタ
• GJB 33/18-2011 半導(dǎo)體光電子デバイスの詳細(xì)仕様 GO417 雙方向半導(dǎo)體光電結(jié)合アナログスイッチ
• GJB/Z 41.3-1993 軍用半導(dǎo)體ディスクリートデバイスシリーズスペクトル半導(dǎo)體光電子デバイス
• GJB 8121-2013 半導(dǎo)體光電子部品の一般仕様
• GJB 8119-2013 半導(dǎo)體光電子デバイスの一般仕様
• GJB 33/15-2011 半導(dǎo)體光電子デバイス詳細(xì)仕様書(shū) BT401型半導(dǎo)體赤外発光ダイオード
• GJB 33/22-2011 半導(dǎo)體光電子デバイス詳細(xì)仕様書(shū) GO103型フォトカプラ

British Standards Institution (BSI), 半導(dǎo)體の光電特性

• BS EN 62007-1:2000 光ファイバーシステム用半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス 基本的な評(píng)価と特性
• BS IEC 60747-5-4:2022 半導(dǎo)體デバイス-光電子デバイス 半導(dǎo)體レーザー
• BS IEC 60747-5-4:2006 半導(dǎo)體デバイス、ディスクリートデバイス、光電子デバイス、半導(dǎo)體レーザー
• BS EN 62007-1:2009 光ファイバーシステムで使用する半導(dǎo)體光電子デバイス 基本的なグレードと特性の仕様テンプレート
• BS EN 62007-1:2015 光ファイバーシステムで使用する半導(dǎo)體光電子デバイス 基本的なグレードと特性の仕様テンプレート
• 12/30261676 DC BS EN 62779-2. 半導(dǎo)體デバイス。 人體通信用半導(dǎo)體インターフェース。 インターフェース性能の特性評(píng)価
• BS EN IEC 60747-5-5:2020 半導(dǎo)體デバイス 光電子デバイス フォトカプラ
• BS IEC 62951-5:2019 半導(dǎo)體デバイスフレキシブル伸縮性半導(dǎo)體デバイスフレキシブル材料の熱特性試験方法
• 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4 半導(dǎo)體デバイス パート 5-4 光電子デバイス 半導(dǎo)體レーザー
• BS IEC 60747-18-4:2023 半導(dǎo)體デバイス、半導(dǎo)體バイオセンサー、レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーのノイズ特性評(píng)価方法
• BS IEC 62951-4:2019 半導(dǎo)體デバイス フレキシブルかつ伸縮可能な半導(dǎo)體デバイス フレキシブル半導(dǎo)體デバイス基板上のフレキシブル導(dǎo)電膜の疲労評(píng)価
• 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. 半導(dǎo)體デバイス パート 5-4 光電子デバイス 半導(dǎo)體レーザー
• BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイスの基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• BS 3363:1961 軽電流半導(dǎo)體デバイスの文字記號(hào)一覧
• BS IEC 60747-18-5:2023 半導(dǎo)體デバイス、半導(dǎo)體バイオセンサー、レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーパッケージモジュールの光入射角による光応答特性の評(píng)価方法
• BS EN 62007-2:2000 光ファイバーシステム用半導(dǎo)體光電子デバイス.測(cè)定方法
• BS EN 60747-5-2:2001(2003) ディスクリート半導(dǎo)體デバイスと集積回路 パート 5-2: 光電子デバイス - 基本的な定格と特性
• BS EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導(dǎo)體光電子デバイス。 測(cè)定方法
• BS IEC 62951-6:2019 半導(dǎo)體デバイスおよび伸縮性半導(dǎo)體デバイスのフレキシブル導(dǎo)電フィルムのシート抵抗の試験方法
• BS EN 60747-5-5:2011 半導(dǎo)體デバイス、ディスクリートデバイス、光電子デバイス、フォトカプラ
• BS EN 60747-5-2:1998 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路光電子デバイスの基本定格と特性
• BS EN 60747-5-5:2011+A1:2015 半導(dǎo)體デバイス。 ディスクリートデバイス - 光電子デバイス。 フォトカプラ
• BS EN 60747-5-2:2001 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路、光電子デバイス、基本定格および特性
• BS IEC 60747-18-3:2019 半導(dǎo)體デバイス 半導(dǎo)體バイオセンサー レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーの流體流特性 流體システムを備えたパッケージモジュール

British Standard / International Electrotechnical Commission, 半導(dǎo)體の光電特性

• BS IEC 60747-5-4:2022+A1:2024 半導(dǎo)體デバイス - 光電デバイス。半導(dǎo)體レーザー

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導(dǎo)體の光電特性

• IEC 60747-5-4:2022+AMD1:2024 CSV 半導(dǎo)體デバイス - 第5部4: 光電子デバイス - 半導(dǎo)體レーザ
• IEC 60747-5-4:2022 半導(dǎo)體デバイス パート 5-4: 光電子デバイス 半導(dǎo)體レーザー
• IEC 60747-5-4:2024 半導(dǎo)體裝置 第5-4部分：光電子裝置 半導(dǎo)體激光器
• IEC 62007-1:1999 光ファイバーシステム用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性。
• IEC 62007-1:1997 光ファイバーシステム用半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性
• IEC 60747-5-4:2006 半導(dǎo)體デバイス、ディスクリートデバイス、パート 5-4: 光電子デバイス、半導(dǎo)體レーザー
• IEC 60747-5-4:2022/AMD1:2024 改正案1 - 半導(dǎo)體デバイス - 第5-4部：光電気デバイス - 半導(dǎo)體レーザ
• IEC 62007-1/AMD1:1998 光ファイバーシステム用半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性 修正 1
• IEC 62007-1:1997+AMD1:1998 CSV 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス - パート 1: 重要な定格と特性
• IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV 光ファイバーシステムで使用する半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• IEC 60747-5-2:2009 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 パート 5-2: オプトエレクトロニクス部品 基本的な定格と特性
• IEC 62951-4:2019 半導(dǎo)體デバイス フレキシブルかつ伸縮可能な半導(dǎo)體デバイス 第4回 フレキシブル半導(dǎo)體デバイス基板上のフレキシブル導(dǎo)電膜の疲労評(píng)価
• IEC 62007-1:2008 光ファイバーシステムで使用する半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• IEC 62007-1:2015 光ファイバーシステムで使用する半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• IEC 60747-5-2:1997/AMD1:2002 半導(dǎo)體ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 5-2: オプトエレクトロニクスデバイス 基本的な定格と特性
• IEC 60747-5-2:1997+AMD1:2002 CSV 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 第 5-2 部: 光電子デバイスの基本定格と特性
• IEC 60747-5-7:2016 半導(dǎo)體裝置、パート 5-7: オプトエレクトロニクス裝置、フォトダイオードおよびフォトトランジスタ
• IEC 62007-1:1997/AMD1:1998 修正 1 - 光ファイバー システム アプリケーション用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクス デバイス - パート 1: 必須の定格と特性
• IEC 62951-5:2019 半導(dǎo)體デバイス フレキシブルかつ伸縮性のある半導(dǎo)體デバイス パート 5: フレキシブル材料の熱特性の試験方法
• IEC 60747-5-2:1997 半導(dǎo)體ディスクリートデバイスと集積回路 第5-2部：光電子デバイスの基本定格と特性
• IEC 60747-18-4:2023 半導(dǎo)體デバイス、パート 18-4: 半導(dǎo)體バイオセンサー、レンズレス CMOS フォトニック アレイ センサーのノイズ特性の評(píng)価方法

Gosstandart of Russia, 半導(dǎo)體の光電特性

• GOST 17772-1988 半導(dǎo)體光検出器および受光器、光電パラメータの測(cè)定および特性の決定方法
• GOST R 50471-1993 半導(dǎo)體発光素子の半値角の測(cè)定方法
• GOST R 59607-2021 光學(xué)およびフォトニクス 半導(dǎo)體光検出器 光電子および受光デバイス 光電子パラメータの測(cè)定および特性の決定方法
• GOST R 59740-2021 低濃度物質(zhì)に対する半導(dǎo)體レーザーの測(cè)定特性を決定するための光學(xué)およびフォトニクス方法

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導(dǎo)體の光電特性

• KS C IEC 62007-1-2003(2023) 光通信システム用半導(dǎo)體オプトエレクトロニクス部品 - パート 1: 重要度および特性
• KS C IEC 62007-1:2003 光ファイバーシステム用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 2: 基本的な定格と特性。
• KS C IEC 62007-1-2003(2018) 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス - パート 1: 基本的な定格と特性
• KS C IEC 60747-5-2-2020 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスと集積回路 - パート 5-2: 光電子デバイス - 基本レベルと特性
• KS C IEC 60747-5-2:2020 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスと集積回路 - パート 5-2: 光電子デバイス - 基本レベルと特性
• KS C IEC 60747-5-2:2004 半導(dǎo)體ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 5-2: オプトエレクトロニクスデバイス 基本的な定格と特性

German Institute for Standardization, 半導(dǎo)體の光電特性

• DIN 4000-20:1988 パート 20: 光電子半導(dǎo)體部品の製品特性テーブルの設(shè)計(jì)
• DIN EN 62779-2 E:2013-01 ドラフト文書(shū) - 半導(dǎo)體デバイス - 人體通信用半導(dǎo)體インターフェース - パート 2: インターフェース性能の特性評(píng)価 (IEC 47/2153/CD:2012)
• DIN EN 62007-1:2001 光ファイバーシステムアプリケーション向け半導(dǎo)體光電子デバイス - パート 1: 必須定格および特性 (IEC 62007-1:1997 + A1:1998); ドイツ語(yǔ)版 EN 62007-1:2000

YU-JUS, 半導(dǎo)體の光電特性

• JUS A.A4.302-1990 半導(dǎo)體ダイオード特性表

Professional Standard - Electron, 半導(dǎo)體の光電特性

• SJ/T 10229-1991 XJ4810 半導(dǎo)體管特性グラフ計(jì)測(cè)器
• SJ 20642-1997 半導(dǎo)體光電子モジュールの一般仕様
• SJ 20786-2000 半導(dǎo)體光電子部品の一般仕様
• SJ 50033/109-1996 半導(dǎo)體光電子デバイス 半導(dǎo)體レーザーダイオード タイプ GJ9031T、GJ9032T、GJ9034T 詳細(xì)仕様
• SJ/T 2214-2015 半導(dǎo)體フォトダイオードおよびフォトトランジスタの試験方法
• SJ 2247-1982 半導(dǎo)體光電子デバイスの寸法
• SJ/T 2215-2015 半導(dǎo)體フォトカプラの試験方法
• SJ 50033/111-1996 半導(dǎo)體光電子デバイス詳細(xì)仕様 GTI6型シリコンNPNフォトトランジスタ
• SJ 20642.6-1998 半導(dǎo)體光電子モジュール GH83型光カプラ詳細(xì)仕様
• SJ 20642.4-1998 半導(dǎo)體光電子モジュール GH81型フォトカプラ詳細(xì)仕様

The Directorate General of Specifications and Metrology (DGSM) , 半導(dǎo)體の光電特性

• OS GSO IEC 60747-5-4:2014 半導(dǎo)體デバイス - ディスクリートデバイス - パート 5-4: 光電子デバイス - 半導(dǎo)體レーザー

GCC Standardization Organization, 半導(dǎo)體の光電特性

• GSO IEC 60747-5-4:2014 半導(dǎo)體デバイス - ディスクリートデバイス - パート 5-4: 光電子デバイス - 半導(dǎo)體レーザー
• GSO IEC 60747-5-2:2014 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 - パート 5-2: オプトエレクトロニクスデバイス - 必須の定格と特性
• GSO IEC 60747-18-4:2024 半導(dǎo)體デバイス - その18-4: 半導(dǎo)體バイオセンサー - レンズフリーCMOSフォトニックアレイセンサーのノイズ特性の評(píng)価方法
• GSO IEC 60747-5-7:2021 半導(dǎo)體デバイス - パート 5-7: 光電子デバイス - フォトダイオードおよびフォトトランジスタ

Kingdom of Bahrain Testing and Metrology Directorate, 半導(dǎo)體の光電特性

• BH GSO IEC 60747-5-4:2016 半導(dǎo)體デバイス - ディスクリートデバイス - パート 5-4: 光電子デバイス - 半導(dǎo)體レーザー
• BH GSO IEC 60747-5-2:2016 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 - パート 5-2: オプトエレクトロニクスデバイス - 必須の定格と特性
• BH GSO IEC 60747-5-7:2022 半導(dǎo)體デバイス - パート 5-7: 光電子デバイス - フォトダイオードおよびフォトトランジスタ

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導(dǎo)體の光電特性

• GB 15651.4-2017 半導(dǎo)體デバイス ディスクリートデバイス 第5-4部：光電子デバイス 半導(dǎo)體レーザー
• GB/T 13974-1992 半導(dǎo)體チューブ特性図形測(cè)定器試験方法
• GB/T 13973-2012 半導(dǎo)體管特性グラフ裝置の一般仕様
• GB/T 15167-1994 半導(dǎo)體レーザー光源の一般仕様
• GB 12565-1990 半導(dǎo)體デバイスおよび光電子デバイスの仕様
• GB/T 15651.2-2003/IEC 60747-5-2:1997 半導(dǎo)體ディスクリートデバイスと集積回路 第5-2部：光電子デバイスの基本定格と特性
• GB/T 15651.2-2003 半導(dǎo)體ディスクリートデバイスと集積回路 第5-2部 光電子デバイスの基本定格と特性

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì), 半導(dǎo)體の光電特性

• GB/T 15651.4-2017 半導(dǎo)體デバイス ディスクリートデバイス 第5-4部：光電子デバイス 半導(dǎo)體レーザー

CZ-CSN, 半導(dǎo)體の光電特性

• CSN 35 8761-1973 半導(dǎo)體裝置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 光電流測(cè)定
• CSN 35 8762-1973 半導(dǎo)體裝置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 暗電流測(cè)定

Professional Standard - Post and Telecommunication, 半導(dǎo)體の光電特性

• YD/T 2001.1-2009 光ファイバーシステム用半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス 第 1 部: 基本特性と評(píng)価

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導(dǎo)體の光電特性

• CNS 13805-1997 光電子半導(dǎo)體ウェーハの光レーザースペクトル測(cè)定方法

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導(dǎo)體の光電特性

• EN 62007-1:2000 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性
• EN 62007-1:2009 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート

Group Standards of the People's Republic of China, 半導(dǎo)體の光電特性

• T/QGCML 4031-2024 半導(dǎo)體光學(xué)ウェーハ
• T/CASME 698-2023 半導(dǎo)體レーザー治療器

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導(dǎo)體の光電特性

• DB13/T 5293-2020 半導(dǎo)體特性のグラフィカルな機(jī)器メンテナンス仕様

Association Francaise de Normalisation, 半導(dǎo)體の光電特性

• NF C93-801-1:2009 光ファイバーシステム用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• NF C93-801-1*NF EN 62007-1:2015 光ファイバーシステム用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• NF EN 60747-5-2/A1:2003 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスと集積回路 - パート 5-2: 光電子デバイス - 限界と基本特性
• NF EN 60747-5-2:2001 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスと集積回路 - パート 5-2: 光電子デバイス - 限界と基本特性
• NF C86-503:1986 半導(dǎo)體デバイス、電子部品の統(tǒng)一品質(zhì)評(píng)価システム、フォトトランジスタ、太陽(yáng)電池複合トランジスタおよび光電子半導(dǎo)體回路、空白の詳細(xì)仕様書(shū) CESS 20 003
• NF C96-005-2/A1*NF EN 60747-5-2/A1:2003 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 第 5-2 部: 光電子デバイスの基本定格と特性
• NF C96-005-2*NF EN 60747-5-2:2001 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 第 5-2 部: 光電子デバイスの基本定格と特性
• NF EN IEC 60747-5-5:2020 半導(dǎo)體デバイス - パート 5-5: 光電子デバイス - オプトカプラ
• NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020 半導(dǎo)體裝置パート5-5: 光電子機(jī)器オプトカプラ

International Telecommunication Union (ITU), 半導(dǎo)體の光電特性

• ITU-T K.28 SPANISH-1993 電気通信施設(shè)における半導(dǎo)體産業(yè)の利用に関する特徴

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 半導(dǎo)體の光電特性

• JJF 1236-2010 半導(dǎo)體管特性測(cè)定器の校正仕様書(shū)

Danish Standards Foundation, 半導(dǎo)體の光電特性

• DS/EN 60747-5-2:2002 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 第 5-2 部: 光電子デバイスの基本定格と特性
• DS/EN 60747-5-2/A1:2002 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 第 5-2 部: 光電子デバイスの基本定格と特性
• DANSK DS/EN 60747-5-2/A1:2002 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 - パート 5-2: 光電子デバイス - 必須定格および特性
• DANSK DS/EN 60747-5-2:2002 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 - パート 5-2: オプトエレクトロニクスデバイス - 必須の定格と特性
• DS/EN 62007-1:2009 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導(dǎo)體オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• DANSK DS/EN IEC 60747-5-5:2020 半導(dǎo)體デバイス – パート 5-5: 光電子デバイス – フォトカプラ

Spanish Association for Standardization (UNE), 半導(dǎo)體の光電特性

• UNE-EN 60747-5-2:2001 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 第 5-2 部: 光電子デバイスの基本定格と特性
• UNE-EN 60747-5-2:2001/A1:2002 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 第 5-2 部: 光電子デバイスの基本定格と特性
• UNE-EN IEC 60747-5-5:2020 半導(dǎo)體デバイス パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導(dǎo)體の光電特性

• DB22/T 2725-2017 980nmファイバーグレーティング半導(dǎo)體レーザー

Comitato Elettrotecnico Italiano, 半導(dǎo)體の光電特性

• CEI EN 60747-5-2:2002 個(gè)別半導(dǎo)體デバイスおよび集積回路 - パート 5-2: 光電子デバイス - 必須定格および特性
• CEI EN IEC 60747-5-5:2021 半導(dǎo)體デバイス 第5-5部：光電子デバイス - フォトカプラ

International Organization for Standardization (ISO), 半導(dǎo)體の光電特性

• ISO/TS 17915:2013 光學(xué)およびオプトエレクトロニクス - センシング用の半導(dǎo)體レーザーの測(cè)定方法

Bureau of Indian Standards, 半導(dǎo)體の光電特性

• IS 3700-11-1984 半導(dǎo)體デバイスの基本定格と特性 - パート 11: 発光ダイオード

IN-BIS, 半導(dǎo)體の光電特性

• IS 3700 Pt.11-1984 半導(dǎo)體デバイスの基本定格と特性 第11回 発光ダイオード

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導(dǎo)體の光電特性

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