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次級(jí)離子質(zhì)譜法

本專題涉及次級(jí)離子質(zhì)譜法的標(biāo)準(zhǔn)有25條。

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中,次級(jí)離子質(zhì)譜法涉及到分析化學(xué)、微生物學(xué)、半導(dǎo)體材料、光學(xué)和光學(xué)測(cè)量。

在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中,次級(jí)離子質(zhì)譜法涉及到基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、化學(xué)、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、基礎(chǔ)學(xué)科綜合、表面活性劑。


英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì),關(guān)于次級(jí)離子質(zhì)譜法的標(biāo)準(zhǔn)

  • BS ISO 23830:2008 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.靜態(tài)次級(jí)離子質(zhì)譜法中相對(duì)強(qiáng)度數(shù)值范圍的重復(fù)性和穩(wěn)定性
  • BS ISO 18114:2003 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.測(cè)定離子注入標(biāo)樣的相對(duì)靈敏系數(shù)
  • BS ISO 17862:2013 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.單離子計(jì)數(shù)飛行時(shí)間質(zhì)量分析器強(qiáng)度標(biāo)的線性
  • BS ISO 20341:2003 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.多δ層標(biāo)準(zhǔn)材料深度溶解參數(shù)的估算方法

美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì),關(guān)于次級(jí)離子質(zhì)譜法的標(biāo)準(zhǔn)

  • ASTM E1635-06(2011) 次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
  • ASTM E1504-06 次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
  • ASTM E1635-06 報(bào)告次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)用標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
  • ASTM E1881-12 用次級(jí)離子質(zhì)譜法 (SIMS) 對(duì)細(xì)胞培養(yǎng)分析的標(biāo)準(zhǔn)指南
  • ASTM E1438-91(1996) 用次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)測(cè)量濺射深度成形界面的寬度
  • ASTM E1438-91(2001) 用次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)測(cè)量濺射深度成形界面的寬度
  • ASTM E1881-06 用次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)進(jìn)行細(xì)胞培養(yǎng)分析的標(biāo)準(zhǔn)指南
  • ASTM E1438-06 用次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)測(cè)量深度摻雜分布界面寬度標(biāo)準(zhǔn)指南
  • ASTM E1162-06 報(bào)告次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)中濺射深度截面數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
  • ASTM E1880-06 用次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)進(jìn)行組織低溫截面分析的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
  • ASTM E1880-12 用次級(jí)離子質(zhì)譜法 (SIMS) 進(jìn)行組織低溫截面分析的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

韓國(guó)科技標(biāo)準(zhǔn)局,關(guān)于次級(jí)離子質(zhì)譜法的標(biāo)準(zhǔn)

  • KS D ISO 18114:2005 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.測(cè)定離子注入標(biāo)樣中的相對(duì)靈敏度系數(shù)
  • KS D ISO 20341:2005 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.多δ層標(biāo)準(zhǔn)材料深度溶解參數(shù)的估算方法
  • KS D ISO 14237:2003 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.使用非均一摻雜材料的硅中硼原子的濃度測(cè)定

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織,關(guān)于次級(jí)離子質(zhì)譜法的標(biāo)準(zhǔn)

  • ISO 18114:2021 表面化學(xué)分析. 次級(jí)離子質(zhì)譜法. 測(cè)定離子注入標(biāo)樣中的相對(duì)靈敏度系數(shù)
  • ISO 18114:2003 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.測(cè)定離子注入標(biāo)樣中的相對(duì)靈敏度系數(shù)
  • ISO 20341:2003 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.多δ層標(biāo)準(zhǔn)材料深度溶解參數(shù)的估算方法

日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會(huì),關(guān)于次級(jí)離子質(zhì)譜法的標(biāo)準(zhǔn)

  • JIS K 0163:2010 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.離子注入標(biāo)樣中相對(duì)靈敏度系數(shù)的測(cè)定
  • JIS K 0143:2000 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.利用均勻摻雜材料測(cè)定硅中硼原子濃度

澳大利亞標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì),關(guān)于次級(jí)離子質(zhì)譜法的標(biāo)準(zhǔn)

  • AS ISO 18114:2006 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜法.植入離子的參考材料的相對(duì)靈敏系數(shù)的測(cè)定
  • AS ISO 18114:2006(R2016) 表面化學(xué)分析 次級(jí)離子質(zhì)譜法 植入離子的參考材料的相對(duì)靈敏系數(shù)的測(cè)定




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